廈門元航機械設備有限公司  沈

173-06-0188 00

霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化，磁場越強，電壓越高，磁場越弱，電壓越低。霍爾電壓值很小，通常只有幾個毫伏，但經(jīng)集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號。若使霍爾集成電路起傳感作用，需要用機械的方法來改變磁場強度。下圖所示的方法是用一個轉動的葉輪作為控制磁通量的開關，當葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時，磁場偏離集成片，霍爾電壓消失。這樣，霍爾集成電路的輸出電壓的變化

EMG電動缸LLS 675/02

EMG伺服閥SV1-10/32/315-6

EMG伺服閥SV1-10/8/315/6 SV1-10/16/120/6

EMG伺服閥SV1-10/48/315-6

EMG伺服閥SV1-10/16/315-6

EMG傳感器KLW 300.012

EMG傳感器KLW 150.012

EMG傳感器KLW 225.012

EMG傳感器KLW 360.012

EMG傳感器KLW150.012

EMG傳感器KLW225.012

EMG傳感器KLW300.012

EMG傳感器KLW450.012

EMG傳感器KLW600.012

SV1-10/8/315/6 伺服閥 EMG

SV1-10/48/315/6 伺服閥 EMG

SV1-10/32/100/6 伺服閥 EMG

SV1-10/8/120/6 伺服閥 EMG

SV1-10/4/120/6 伺服閥 EMG

SV2-16/125/315/1/1/01伺服閥EMG 

HFE400/10H濾芯EMG 

KLM300/012位移傳感器EMG 

LLS675/02 LICHTBAND對中整流器EMG 

LIC1075/11光發(fā)射器EMG 

EVK2.12 電路處理板EMG 

BK11.02 電源EMG 

MCU16.1 處理器EMG 

VKI3-11-200/1600/750/M/E/W/A/EMG 

LID2-800.2C 對中光源發(fā)射器EMG 

LID2-800.2C 對中光源發(fā)射器EMG 

DMC2000-B3-160-SMC002-DCS電動執(zhí)行器EMG 

KLW300.012位移傳感器EMG 

LIC2.01.1電路板EMG

 利用激光技術進行測量的傳感器。它由激光器、激光檢測器和測量電路組成。激光傳感器是新型測量儀表，它的優(yōu)點是能實現(xiàn)無接觸遠距離測量，速度快，精度高，量程大，抗光、電*力強等。

EMG推動桿EB1250-60IIW5T

EMG推動桿EB800-60II

EMG推動桿EB220-50/2IIW5T

EMG推動桿EB300-50IIW5T

EMG發(fā)射光源L1C770/01-24VDC/3.0A  

EMG制動器ED121/6 2LL5   551-1

EMG光電探頭EVK2-CP/800.71L/R

EMG放大器EVB03/235351

EMG對中控制SMI 2.11.1/2358100134300

EMG電路板SMI 2.11.3/235990

EMG泵DMC 249-A-40 

EMG泵DMC 249-A-50 

EMG泵DMC 30 A-80 

EMG泵DPMC 59-V-8 

EMG位置傳感器LWH-0300

EMG電動執(zhí)行器DMCR59-B1-10

EMG伺服閥SV1-10/32/315/6

EMG伺服閥SV1-10/32/315/8

EMG伺服閥SV1-10/48/315/8EMG推動桿EB1250-60IIW5T

EMG推動桿EB800-60II

EMG推動桿EB220-50/2IIW5T

EMG推動桿EB300-50IIW5T

EMG發(fā)射光源L1C770/01-24VDC/3.0A  

EMG制動器ED121/6 2LL5   551-1

EMG光電探頭EVK2-CP/800.71L/R

EMG放大器EVB03/235351

EMG對中控制SMI 2.11.1/2358100134300

EMG電路板SMI 2.11.3/235990

EMG泵DMC 249-A-40 

EMG泵DMC 249-A-50 

EMG泵DMC 30 A-80 

EMG泵DPMC 59-V-8 

EMG位置傳感器LWH-0300

EMG電動執(zhí)行器DMCR59-B1-10

EMG伺服閥SV1-10/32/315/6

EMG伺服閥SV1-10/32/315/8

EMG伺服閥SV1-10/48/315/8

EMG伺服閥SV2-10/64/210/6

EMG 攝像頭 LS13.01   

霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應制作的一種磁場傳感器，廣泛地應用于工業(yè)自動化技術、檢測技術及信息處理等方面。霍爾效應是研究半導體材料性能的基本方法。通過霍爾效應實驗測定的霍爾系數(shù)，能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù)。

霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化，磁場越強，電壓越高，磁場越弱，電壓越低。霍爾電壓值很小，通常只有幾個毫伏，但經(jīng)集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號。若使霍爾集成電路起傳感作用，需要用機械的方法來改變磁場強度。下圖所示的方法是用一個轉動的葉輪作為控制磁通量的開關，當葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時